应核科学与技术学院邀请，兰州大学青年教授韦峥面向本科生开展学术报告。
报告题目： 强流D-D/D-T加速器中子源物理、技术及应用
报告人：韦峥 青年教授
报告时间：2023年11月23日14:30
报告地点：榆中校区天山堂B601
摘要：
中子物理与中子应用技术作为原子核物理与核技术的重要分支，被世界各国普遍重视并得到广泛研究，对核战略设施、核能利用及核产业发展产生了积极的推动作用。进入21 世纪以来，随着ADS工程、快中子裂变反应堆、钍基熔岩反应堆、聚变堆、中子散射衍射技术、中子照相技术等新型核能技术和中子应用技术的快速发展，中子物理与中子应用技术研究又成为世界各国争先研究的前沿领域。强流D-D/D-T中子发生器是重要的准单能加速器中子源，其特点是在低能D束流条件下产生较高中子产额的中子，且中子单能性好，在快中子物理、快中子应用技术及核数据测量等领域有着重要的应用价值。
报告人简介：
兰州大学青年教授，博士生导师，2016年在兰州大学获得理学博士学位。主要从事加速器中子源技术、中子物理、中子应用技术的研究工作，致力于强流D-D/D-T中子发生器和紧凑型D-D中子发生器、中子诱发锕系重核裂变物理研究、中子无损检测技术研发等工作。近年来主持国家自然科学基金4项，军科委项目1项，兰州大学优秀青年基金项目1项，横向技术研发课题多项；以第一/通讯作者发表学术论文40余篇，获批专利及软件著作权10余项，其中，1项成果完成科技成果转化；多次指导研究生、本科生参加“挑战杯”全国大学生课外学术科技作品竞赛、“互联网+”大学生创新创业大赛并获得金奖（冠军）。
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