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物理科学与技术学院学术报告——韩秀峰研究员

日期: 2016-11-24 点击: ...
   

  应磁学与磁性材料教育部重点实验室暨物理科学与技术学院邀请,中国科学院物理研究所韩秀峰研究员将于2016年11月25日-2016年11月28日来我校进行学术合作交流并做学术报告,欢迎参加!

  报 告 人:韩秀峰研究员
  报告题目:自旋电子学材料、物理和器件研究进展
  报告时间:2016年11月26日(星期六)下午16:30
  报告地点:齐云楼620会议室

报告摘要:

  该报告将简要介绍基于Al-O非晶势垒、准单晶和单晶MgO(001)势垒以及尖晶石MgAl2O4(001)等势垒的磁性隧道结材料制备和隧穿磁电阻(TMR)效应以及基于量子阱态的共振隧穿磁电阻(QW-TMR)效应等物理研究,并进一步介绍磁性隧道结(MTJ)及其隧穿磁电阻效应(TMR)在自旋电子学核心器件方面的重要代表性研究进展与应用,如磁随机存取存储器(MRAM)、高灵敏度低噪声的TMR磁电阻磁敏传感器等等。

韩秀峰研究员简历:

  韩秀峰,中科院物理所研究员、博士生导师、M02课题组组长。1984年毕业于兰州大学物理系、1993年在吉林大学获博士学位。1998至2002年分别在日本东北大学、美国新奥尔良大学和爱尔兰圣三一学院等处从事自旋电子学的研究。2000年获中科院“百人计划”资助;2003年获国家杰出青年基金资助;2007年获国家基金委创新研究群体基金资助;2007年入选“新世纪百千万人才工程国家级人选”;主持和完成过国家基金委的重点基金、重大国际合作基金和科技部的973项目及重大科学仪器装备项目等。现任国际学术期刊JMMM的副主编、SPIN等杂志的编委、PRL等国际70余种SCI学术期刊杂志邀请审稿人。主要从事“自旋电子学材料、物理和器件原理”研究,包括:(1)基于磁性隧道结及隧穿磁电阻(TMR)的材料、物理和器件原理研究等;(2)磁纳米异质结构及其自旋霍尔效应、自旋Seebeck效应和反常Nernst效应、巨磁热电(GMS)效应等物理研究;(3)铁磁/多铁性/半导体/有机分子等复合磁性隧道结及自旋输运性质研究;(4)新型磁随机存取存储器(MRAM)、磁电阻磁敏传感器、磁逻辑/自旋逻辑、自旋纳米振荡器、自旋场效应管和自旋晶体管的器件原理研究;(5)磁性纳米线和纳米管及其各种复合结构制备研究。发表SCI学术论文290余篇;获得中国发明专利授权70余项和国际专利授权7项;有相关国际学术会议邀请报告60余次;主编《自旋电子学导论》一书、并参与撰写《Handbook of Spintronics》等其他4部专著。与合作者研制成功一种新型纳米环磁随机存取存储器(MRAM)原理型演示器件、一种自旋逻辑、四种磁电阻磁敏传感器原理型演示器件;其中有关“新型纳米环磁随机存取存储器的基础性研究”获2013年度北京市科学技术一等奖。

磁学与磁性材料教育部重点实验室、物理科学与技术学院
二〇一六年十一月二十四日

文:
图:
编辑:肖金星
来源:物理科学与技术学院
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